明年英特尔将采用45纳米技术内存芯片区域

英特尔日前宣布，它采用45纳米加工技术制作出了全球第一个功能齐全的SRAM内存芯片。虽然英特尔还没有开始商业性生产这种内存芯片的计划，但是，这种芯片可以作为一种试验性的产品，让研究人员制作生产级处理器所需要的一切部件。英特尔研究员、处理器架构和整合部门经理Mark Bohr说，这种试验性芯片通常是我们在开发逻辑电路技术中采取的第一个重大步骤。虽然这是一个实验性的内存芯片，但是，这个芯片包含了最终的45纳米微处理器产品所需要的全部晶体管和连线功能。Bohr表示，这种芯片较小的尺寸和先进的设计能够使芯片中的晶体管密度比传统的65纳米芯片高一倍。这个结果将使晶体管的转换速度提高20%，或者使漏电量减少五倍。英特尔表示，第一款45纳米处理器计划在2007年下半年上市。