6材料技术

6月9日消息，日亚生产出了发光波长在515nm的连续波长激光二极管，打破了过去500nm的记录。以前的500nm激光二极管是当时波长最长的电驱动InGaN半导体激光器。

这家日本氮化镓领先制造商没有提供515nm二极管的详细数据。但是此前他们成功提供了510-51 nm的二极管，在不改变电气特性的情况下，运行时间达500小时。

超过500小时之后，激光器的性能不断退化。日亚的研究员评估了它的整体寿命，以最大电压可以达到初始电压的1 0%进行定义，最大可以达到500小时。

在5月出版的《Applied Physics Express》上，这个团队表示开发了限制异质结二极管，设计方式和2001年产品相似。据悉，该二极管是在一个独立的C-平面衬底上生长出来的，优化了MOCVD工艺，制造出了高铟材料，获得绿光波长。

“我们改善了外延层的生长条件，特别是多量子阱层。晶体质量得到了很大改善，即使是在InGaN的有源层。”日亚的团队写道。但是，日亚拒绝透露优化工艺的具体细节。

在日亚生产出488nm InGaN激光二极管的时候，劣质的质量导致了非辐射区域的产生，被称为暗区，日亚表示他们已经消除这个区域。

在室温下，515nm的二极管的阈值电流为5 mA，电流密度是4.4 kA/cm2。在88 mA电流和5.5V电压下，该器件的光学输出是5mW。同样是从室温开始变化，510–51 nm的二极管波长增长速率是0.022 nm/K，跟Osram''''s和 Rohm''''s 最近的500 nm 二极管比起来，对温度的敏感性很低。秦皇岛治疗癫痫病医院

四磨汤最佳服用时间

吉林牛皮癣医院哪家好