意法与合作开发纳米互补金属氧化.鼓励

意法半导体和CMP（Circuits Multi Projects）宣布，通过CMP提供的硅中介服务，大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布，会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。通过CMP的服务，他们可以委托芯片厂商小批量制造几十个到几千个的先进集成电路。

45纳米CMOS工艺的推出，是延续ST与CMP授权大学使用上一代65纳米和90纳米CMOS制造技术的成功合作。例如，目前已有100多家大学（欧洲大学占60%，美国和亚洲大学占40%）接受了ST的65纳米体效应互补金属氧化物半导体（Bulk CMOS）制造技术的设计规则和设计工具。在CMP年会上，ST和CMP还宣布，CMP提供给大学的制造技术组合中增加了ST的 CMOS 65纳米绝缘层上硅（SOI）制造技术。同一芯片，如果设计在SOI衬底上，其性能远远高于且（或）功耗远远低于在大块硅衬底上的设计。此外，SOI技术具有更高的抗辐射性，这使得它的应用范围更广，例如，SOI技术更适合航天航空应用。

据CMP总监Bernard Courtois介绍，近几年采用CMOS技术制造的产品的数量出现明显增幅。例如，采用90纳米CMOS设计的电路总数在2007年增幅接近100%，2007年总共有91个电路设计采用了90纳米CMOS，2006年为57个，2005年为 2个，大多数知名大学都准备在设计项目中运用65纳米技术。

还要加大惩罚力度“这是一个非常令人兴奋的项目，很好地反映了我们与教育界和研究团体的密切关系。大学生和研究人员能够使用最先进的技术是非常重要的，通过与CMP合作，二十年来我们始终在为学术界提供最先进的技术，”意法半导体前工序技术制造部大学关系及外联主管Patrick Cogez表示，“确保大学能够使用我们最先进的技术，还有利于我们吸引最优秀的青年工程师加盟ST，这是我们保持技术领导者的长远目标的一部分。”