Diodes推出三款全新DFN020封装

　　Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN 020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和 0V N沟道及 0V互补器件。这些双DFN 020 MOSFET的电学性能与较大的SOT2 封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT2 封装MOSFET，节省七成的电路板空间。

　　DFN 020 MOSFET系列的占位面积只有6平方毫米，离板高度为0.8毫米，较采用SOT2 或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN 020 MOSFET还可用作半桥 (half bridge) 来驱动工业应用中的电机负载。

　　这些MOSFET的结点至环境热阻 (ROJA) 为8 ℃/W，功耗可连续保持在2.4W的高水平，工作温度也低于SOT2 封装MOSFET可达到的水平，因而有助提高可靠性。

　　ZXMN2AMC (双20V N沟道)、ZXMN AMC (双 0V N沟道) 及ZXMC AMC (互补 0V) DFN 020封装MOSFET现已开始供应。