NAND和NOR闪存市场未来的融合

　　从年初来看，各电子行业人士对半导体在年的发展持保守态度。但是对于闪存产品，大家认为，2005年闪存需求仍将小幅上升，NAND和NOR型闪存有融合趋势。从2004年闪存销量第一的三星的计划——将05年闪存产量提高140%，也可以看出对此的一些信心。

　　2004年全球闪存市场规模达到159亿美元，与200 年的116亿美元相比增长 6.4%。其中NAND闪存的销售额为6 . 7亿美元，比200 年增长50.1%；而NOR闪存的销售额为95.58亿美元，比200 年增长28.7%。

　　美国国家半导体预计，2004年闪存市场增长 4.6%，2005年预计下降1.8%，2006和2007年分别增长 .2%和14.7%；200 -2007年，闪存市场分别为117亿美元、158亿美元、155亿美元、160亿美元和18 亿美元。

　　三星的闪存销售额为 9.9亿美元，市场份额为25.1%，比2005年增长了5.7个百分点。也是除Hynix以外，增长最快的闪存厂商。这个增长特别表现在NAND闪存市场上，三星在NAND市场的份额已经达到55.7％。

　　AMD/Spansion为全球第二大闪存供应商，整体的市场份额达到15.2％。整体市场份额比200 年略有减少。她在NOR闪存市场全年仍排第一，占有25.2%的市场份额，比英特尔的2 .9%高出1. 个百分点——虽然Intel在第三第四季度利用价格优势，表现出色，超过了AMD/Spansion。当然，我们也认为NOR闪存市场价格战有进一步升级的迹象。

　　NAND和NOR闪存厂商在技术上出现了融合。NOR闪存供应商Spansion基于“MirrorBit”技术的ORNAND产品据称综合两类闪存的优点——NOR闪存的代码执行能力和NAND闪存的数据存储能力。 而NAND巨头三星则推出了1Gb的OneNAND高速闪存，也融入NOR闪存的特性，其写入速度达10MBps，其读取速度达到108MBps。

　　Spansion正计划在2005推出一种突破性的闪存技术，不但能提升密度，而且还能降低器件数量和成本。该技术名为ORNAND闪存架构，它将在单芯片上汇集NOR闪存的代码执行能力和NAND闪存的数据存储能力，能同时支持快速读与快速写功能，并拥有NAND闪存的高密度与低成本，其晶圆尺寸亦与NAND型产品类似。通过将MirrorBit技术提升到每单元存储4个位的数据，Spansion公司计划到2007年时推出8GBit的闪存，且将采用65纳米工艺。Spansion将在2005年初推出首款1.8V，512Mb的ORNAND产品，突发写入速度将是目前NAND产品的四倍。

　　其实业界一直在期待NOR与NAND技术的融合，据悉英特尔也计划在其NOR产品线中加入更多的NAND能力。同时，其它供应商也在加入NOR闪存市场，或者扩大在该市场的投入，NAND产品线的领导厂商三星电子已开始供应用于的NOR闪存；意法半导体在增加其256Mbit MLC NOR闪存的产量，以在高密度NOR领域追赶英特尔和Spansion。 并且由于2005年闪存市场增长率下降，2005年闪存市场的竞争更将更加激烈。